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IPP12CN10L G /MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2
IPP12CN10L G的规格信息
IPP12CN10L G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:69 A

Rds On-漏源导通电阻:9.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:58 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:57 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:39 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN1LGXK SP000680864

单位重量:6 g

供应商IPP12CN10L G
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深圳市威雅利发展有限公司IPP12CN10L G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPP12CN10L G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPP12CN10L Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPP12CN10L G华强广场C座18J0755-27381274
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPP12CN10L G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPP12CN10L G航都大厦10I0755-23990975
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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