制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:69 A

Rds On-漏源导通电阻:9.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:58 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:57 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:39 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN1LGXK SP000680864

单位重量:6 g